ぶんしせんエピタキシーほう【分子線エピタキシー法】

〔molecular beam epitaxy〕超高真空下で原料となる金属などを加熱して分子線を発生させ，目標の基板の結晶に照射し薄膜を成長させる方法。最先端のデバイス開発に用いられる。分子線エピタキシャル法。MBE。分子线外延成膜法。在超高真空下，通过加热成为原料的金属而使产生分子线，照射目标基板的结晶并使薄膜生长的方法。用于最尖端的仪器开发。MBE。

单词	ぶんしせんエピタキシーほう【分子線エピタキシー法】
释义	ぶんしせんエピタキシーほう【分子線エピタキシー法】〔molecular beam epitaxy〕超高真空下で原料となる金属などを加熱して分子線を発生させ，目標の基板の結晶に照射し薄膜を成長させる方法。最先端のデバイス開発に用いられる。分子線エピタキシャル法。MBE。分子线外延成膜法。在超高真空下，通过加热成为原料的金属而使产生分子线，照射目标基板的结晶并使薄膜生长的方法。用于最尖端的仪器开发。MBE。
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