ぶんしせんエピタキシーほう【分子線エピタキシー法】

〔molecular beam epitaxy〕超高真空下で原料となる金属などを加熱して分子線を発生させ，目標の基板の結晶に照射し薄膜を成長させる方法。最先端のデバイス開発に用いられる。分子線エピタキシャル法。MBE。分子线外延成膜法。在超高真空下，通过加热成为原料的金属而使产生分子线，照射目标基板的结晶并使薄膜生长的方法。用于最尖端的仪器开发。MBE。

单词	ぶんしせんエピタキシーほう【分子線エピタキシー法】
释义	ぶんしせんエピタキシーほう【分子線エピタキシー法】〔molecular beam epitaxy〕超高真空下で原料となる金属などを加熱して分子線を発生させ，目標の基板の結晶に照射し薄膜を成長させる方法。最先端のデバイス開発に用いられる。分子線エピタキシャル法。MBE。分子线外延成膜法。在超高真空下，通过加热成为原料的金属而使产生分子线，照射目标基板的结晶并使薄膜生长的方法。用于最尖端的仪器开发。MBE。
随便看	さよしぐれ【小夜時雨】さよなきどりさよなきどり【小夜鳴き鳥】さよならさよのなかやまさよのなかやま【小夜の中山】さよりさより【細魚·魚箴】さらさら·うさら·う【復習う】さら·う【攫う·掠う】さら·う【浚う·渫う】さら·えるさら·える【浚える】さら·けるさら·ける【曝ける】さら·すさら·す【晒す·曝す】さら【新·更】さら【皿】さらいげつさらいげつ【再来月】さらいしゅうさらいしゅう【再来週】