イオンちゅうにゅう【イオン注入】

〔ion implantation〕半導体に不純物を添加する方法の一。不純物をイオン化してビームにし，電気的に制御しながら目的の半導体に注入するので，正確に添加量やその分布を変えることができる。現在のIC生産技術の中核の一。离子注入。在半导体中添加杂质的方法之一。由于将杂质离子化成电子束并一边控制电流一边注入目标半导体中，所以能准确地改变添加量及其分布。现在IC生产技术中的核心方法之一。

单词	イオンちゅうにゅう【イオン注入】
释义	イオンちゅうにゅう【イオン注入】〔ion implantation〕半導体に不純物を添加する方法の一。不純物をイオン化してビームにし，電気的に制御しながら目的の半導体に注入するので，正確に添加量やその分布を変えることができる。現在のIC生産技術の中核の一。离子注入。在半导体中添加杂质的方法之一。由于将杂质离子化成电子束并一边控制电流一边注入目标半导体中，所以能准确地改变添加量及其分布。现在IC生产技术中的核心方法之一。
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