エサキダイオード[Esaki diode]

〔発明者江崎玲於奈(れおな)の名にちなむ〕不純物濃度の高い半導体を用いたダイオード。トンネル効果による負性抵抗特性(電圧を上げると電流が滅る性質)をもち，発信·增幅に利用される。トンネル-ダイオード。隧道二极管，江崎二极管。〔以发明者江崎玲于奈的名字命名〕使用杂质浓度高的半导体的二极管。具有由隧道效应而产生的负电阻特性(电压上升时，电流就减弱的性质)，可用来发信号、放大。

单词	エサキダイオード[Esaki diode]
释义	エサキダイオード[Esaki diode] 〔発明者江崎玲於奈(れおな)の名にちなむ〕不純物濃度の高い半導体を用いたダイオード。トンネル効果による負性抵抗特性(電圧を上げると電流が滅る性質)をもち，発信·增幅に利用される。トンネル-ダイオード。隧道二极管，江崎二极管。〔以发明者江崎玲于奈的名字命名〕使用杂质浓度高的半导体的二极管。具有由隧道效应而产生的负电阻特性(电压上升时，电流就减弱的性质)，可用来发信号、放大。
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